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1786523US1GHE3/61T 이미지Electro-Films (EFI) / Vishay

US1GHE3/61T

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  • 제품 모델
    US1GHE3/61T
  • 제조업체 / 브랜드
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.US1GHE3/61T.pdf
    2.US1GHE3/61T.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1V @ 1A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-214AC (SMA)
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    50ns
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    DO-214AC, SMA
  • 다른 이름들
    US1GHE3/61TGICT
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1A
  • VR, F @ 용량
    15pF @ 4V, 1MHz

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US1GHM2G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1GFA

US1GFA

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
US1G-M3/5AT

US1G-M3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1J-13

US1J-13

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1G-13-F

US1G-13-F

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1G-E3/61T

US1G-E3/61T

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1G/1

US1G/1

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
US1G-13

US1G-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RFQ
US1G-TP

US1G-TP

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
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US1GWF-7

US1GWF-7

기술: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

제조업체: Diodes Incorporated
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US1GHE3_A/I

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기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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US1J-13-F

US1J-13-F

기술: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

제조업체: Diodes Incorporated
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