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VQ3001P-E3

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규격
  • 제품 모델
    VQ3001P-E3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • 제조업체 장치 패키지
    -
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1 Ohm @ 1A, 12V
  • 전력 - 최대
    2W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    -
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    110pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    -
  • FET 유형
    2 N and 2 P-Channel
  • FET 특징
    Standard
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 30V 850mA, 600mA 2W
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    850mA, 600mA
MCH6661-TL-W

MCH6661-TL-W

기술: MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

기술: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

제조업체: Microsemi
유품
VQ35MB

VQ35MB

기술: PELLISTOR PR 4.2V/55MA TC CLOSED

제조업체: SGX Sensortech
유품
FD6M016N03

FD6M016N03

기술: MOSFET 2N-CH 30V 80A EPM15

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
EFC4C012NLTDG

EFC4C012NLTDG

기술: NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
EPC2100

EPC2100

기술: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

제조업체: EPC
유품
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

기술: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

제조업체: Diodes Incorporated
유품
IRF7314PBF

IRF7314PBF

기술: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
FDMD82100

FDMD82100

기술: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
DMS3019SSD-13

DMS3019SSD-13

기술: MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
SI5975DC-T1-GE3

SI5975DC-T1-GE3

기술: MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
CSD75208W1015T

CSD75208W1015T

기술: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품
APTM50H14FT3G

APTM50H14FT3G

기술: MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3

제조업체: Microsemi
유품
JAN2N7335

JAN2N7335

기술: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
VQ31MB

VQ31MB

기술: PELLISTOR PR 3.5V/90MA TC C CAN

제조업체: SGX Sensortech
유품
SI6966DQ-T1-GE3

SI6966DQ-T1-GE3

기술: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
BSC0925NDATMA1

BSC0925NDATMA1

기술: MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
DMC4050SSD-13

DMC4050SSD-13

기술: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO

제조업체: Diodes Incorporated
유품
NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G

기술: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

기술: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

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