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1289045SI570-PROG-EVB 이미지Energy Micro (Silicon Labs)

SI570-PROG-EVB

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  • 제품 모델
    SI570-PROG-EVB
  • 제조업체 / 브랜드
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.SI570-PROG-EVB.pdf
    2.SI570-PROG-EVB.pdf
  • 활용 IC / 부품
    Si570
  • 유형
    Timing
  • 구성품
    Board(s), Cable(s)
  • 연속
    -
  • 추가 특성
    I²C Interface
  • 기본 속성
    10MHz ~ 1.417GHz Frequency Range
  • 다른 이름들
    336-3018
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    3 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 기능
    Reconfigurable Oscillators
  • 임베디드
    Yes, MCU, 8-Bit
  • 상세 설명
    Si570 Reconfigurable Oscillators Timing Evaluation Board

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SI5855CDC-T1-E3

SI5855CDC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

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SI5858DU-T1-E3

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기술: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

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SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

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SI5513DC-T1-E3

SI5513DC-T1-E3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

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SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

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SI5515DC-T1-GE3

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기술: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

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SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

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SI5857DU-T1-GE3

SI5857DU-T1-GE3

기술: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

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SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

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SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

기술: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

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SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

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SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

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SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

기술: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

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SI5517DU-T1-GE3

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기술: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

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SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

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SI5855DC-T1-E3

기술: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

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SI5856DC-T1-E3

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기술: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

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SI5857DU-T1-E3

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