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3071430SI8261BBD-C-IS 이미지Energy Micro (Silicon Labs)

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  • 제품 모델
    SI8261BBD-C-IS
  • 제조업체 / 브랜드
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI8261BBD-C-IS.pdf
  • 전압 - 공급
    9.4 V ~ 30 V
  • 전압 - 분리
    5000Vrms
  • 전압 - 순방향 (Vf) (일반)
    2.8V (Max)
  • 과학 기술
    Capacitive Coupling
  • 제조업체 장치 패키지
    6-SDIP
  • 연속
    Automotive, AEC-Q100
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    5.5ns, 8.5ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대)
    28ns
  • 전달 지연 tpLH / tpHL (최대)
    60ns, 50ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C
  • 채널 수
    1
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP
  • 전류 - 피크 출력
    4A
  • 전류 - 출력 고, 저
    500mA, 1.2A
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    30mA
  • 공통 모드 과도 내성 (최소)
    35kV/µs
  • 승인
    CQC, CSA, UR, VDE

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