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SI8283BD-IS

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  • 제품 모델
    SI8283BD-IS
  • 제조업체 / 브랜드
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    OPTOISI 5KV GATE DRIVER 24SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI8283BD-IS.pdf
  • 전압 - 게이트 트리거 (VGT) (최대)
    4A
  • 전압 - 순방향 (Vf) (일반)
    5ns
  • 전압 - 파괴
    24-SOIC
  • 타이밍
    2.5A, 3A
  • 과학 기술
    Capacitive Coupling
  • 쉘 스타일
    9.5 V ~ 30 V
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tube
  • 펄스 폭 왜곡 (최대)
    50ns, 50ns
  • 전달 지연 tpLH / tpHL (최대)
    35kV/µs
  • 편광
    24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 다른 이름들
    336-3520
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C
  • 채널 수
    1
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    2A (4 Weeks)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    6 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    SI8283BD-IS
  • 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
    5.5ns, 8.5ns
  • 확장 설명
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 24-SOIC
  • 기술
    OPTOISI 5KV GATE DRIVER 24SOIC
  • 전류 전달 비 (최소)
    -
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    -
  • 전류 - 항복
    5000Vrms
  • 승인
    CQC, CSA, UR, VDE

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