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4182954SI8711BD-B-IMR 이미지Energy Micro (Silicon Labs)

SI8711BD-B-IMR

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  • 제품 모델
    SI8711BD-B-IMR
  • 제조업체 / 브랜드
    Energy Micro (Silicon Labs)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 8LGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SI8711BD-B-IMR.pdf
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 30 V
  • 전압 - 분리
    5000Vrms
  • 유형
    General Purpose
  • 과학 기술
    Capacitive Coupling
  • 제조업체 장치 패키지
    8-LGA (10x12.5)
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    15ns, 5ns
  • 펄스 폭 왜곡 (최대)
    20ns
  • 전달 지연 tpLH / tpHL (최대)
    60ns, 60ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-VELGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C
  • 채널 수
    1
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 고립 된 힘
    No
  • 입력 - 사이드 1 / 사이드 2
    1/0
  • 상세 설명
    General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 1 Channel 15Mbps 35kV/µs CMTI 8-VELGA
  • 데이터 속도
    15Mbps
  • 공통 모드 과도 내성 (최소)
    35kV/µs
  • 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)
    Unidirectional

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기술: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 8LGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8712AC-B-IP

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기술: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8DIPGW

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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기술: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 8LGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8711CD-B-IM

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기술: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 8LGA

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8711BC-B-IS

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기술: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8711BC-B-IPR

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기술: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8DIPGW

제조업체: Energy Micro (Silicon Labs)
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SI8711CC-B-ISR

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기술: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC

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SI8711BC-B-IP

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기술: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8DIPGW

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기술: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC

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SI8711CC-B-IPR

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