기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 4.7UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: ISOLATION TRANSFORMER KIT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 .33UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 8CT:9CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 4CT:3CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 10UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.16MH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK
제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
기술: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 3.3UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 1CT:2CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.5UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 2.2UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
유품
기술: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.0UH SMT
제조업체: Pulse Electronics Corporation
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