FCD3400N80Z

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규격

제품 모델

FCD3400N80Z
제조업체 / 브랜드

Fairchild (onsemi)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

FCD3400N80Z.pdf
전압 - 테스트

400pF @ 100V
전압 - 파괴

DPAK
아이디 @ VGS (일) (최대)

3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (최대)

10V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
연속

SuperFET® II
RoHS 상태

Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

2A (Tc)
편광

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들

FCD3400N80ZTR
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

6 Weeks
제조업체 부품 번호

FCD3400N80Z
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.6nC @ 10V
IGBT 유형

±20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5V @ 200µA
FET 특징

N-Channel
확장 설명

N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount DPAK
소스 전압에 드레인 (Vdss)

-
기술

MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800V
용량 비율

32W (Tc)

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기술: MOSFET N-CH 260MOHM TO252

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기술: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 800V 4A TO252

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: FUSE BOARD MNT 3.15A 32VDC 1206

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기술: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206

제조업체: Hamlin / Littelfuse

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기술: FUSE BOARD MOUNT 2.5A 50VDC 1206

제조업체: Hamlin / Littelfuse

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FCD121125TP

기술: FUSE BOARD MNT 1.25A 50VDC 1206

제조업체: Hamlin / Littelfuse

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RFQ

FCD3400N80Z

기술: MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

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기술: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: FUSE BOARD MOUNT 4A 32VDC 1206

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기술: SUPERFET3 650V DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: FUSE BOARD MOUNT 2A 50VDC 1206

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기술: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: FUSE BOARD MOUNT 1.6A 50VDC 1206

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