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1N3882

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유품
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규격
  • 제품 모델
    1N3882
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.1N3882.pdf
    2.1N3882.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    6A
  • 전압 - 파괴
    DO-4
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • 다른 이름들
    1N3882GN
  • 작동 온도 - 정션
    200ns
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    1N3882
  • 확장 설명
    Diode Standard 300V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • 다이오드 구성
    15µA @ 50V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.4V @ 6A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    300V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 150°C

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제조업체: Microsemi
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1N3880

1N3880

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N3883

1N3883

기술: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
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1N3889R

1N3889R

기술: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N3880

1N3880

기술: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N3881

1N3881

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N3883R

1N3883R

기술: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N3889

1N3889

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N3883R

1N3883R

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N3881R

1N3881R

기술: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
1N3882

1N3882

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N3881R

1N3881R

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
1N3883

1N3883

기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
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1N3880R

1N3880R

기술: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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1N3881

기술: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: FAST RECOVERY RECTIFIER

제조업체: Microsemi
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기술: DIODE GEN PURP 50V 12A DO4

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기술: DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4

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