Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > 2N7635-GA
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
24545352N7635-GA 이미지GeneSiC Semiconductor

2N7635-GA

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    2N7635-GA
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS SJT 650V 4A TO-257
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    2N7635-GA.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • Vgs (최대)
    -
  • 과학 기술
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-257
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    415 mOhm @ 4A
  • 전력 소비 (최대)
    47W (Tc)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-257-3
  • 다른 이름들
    1242-1146
  • 작동 온도
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    324pF @ 35V
  • FET 유형
    -
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    -
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    650V
  • 상세 설명
    650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    4A (Tc) (165°C)

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "2N7635-GA"관련 제품입니다.
2N7225U

2N7225U

기술: MOSFET N-CH 200V SMD1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7334

2N7334

기술: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
2N708

2N708

기술: TRANS NPN 15V TO-18

제조업체: Central Semiconductor
유품
RFQ
2N720A

2N720A

기술: TRANS NPN 80V 0.5A TO-18

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
2N7227U

2N7227U

기술: MOSFET N-CH 400V SMD1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7236U

2N7236U

기술: MOSFET P-CH 100V SMD1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7637-GA

2N7637-GA

기술: TRANS SJT 650V 7A TO-257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
2N7224U

2N7224U

기술: MOSFET N-CH 100V 34A SMD1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7638-GA

2N7638-GA

기술: TRANS SJT 650V 8A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
2N7639-GA

2N7639-GA

기술: TRANS SJT 650V 15A TO-257

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
2N7228U

2N7228U

기술: MOSFET N-CH 500V SMD1

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7236

2N7236

기술: MOSFET P-CH 100V TO-254AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7224

2N7224

기술: MOSFET N-CH 100V TO-254AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N720A

2N720A

기술: TRANS NPN 80V 0.5A TO-18

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7335

2N7335

기술: MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB

제조업체: Microsemi Corporation
유품
RFQ
2N7225

2N7225

기술: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7640-GA

2N7640-GA

기술: TRANS SJT 650V 16A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
2N7227

2N7227

기술: MOSFET N-CH 400V TO-254AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7228

2N7228

기술: MOSFET N-CH 500V TO-254AA

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
2N7636-GA

2N7636-GA

기술: TRANS SJT 650V 4A TO276

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.