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FR12MR05

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유품
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규격
  • 제품 모델
    FR12MR05
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.FR12MR05.pdf
    2.FR12MR05.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard, Reverse Polarity
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    12A
  • 전압 - 파괴
    DO-4
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • 다른 이름들
    FR12MR05GN
  • 작동 온도 - 정션
    500ns
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    FR12MR05
  • 확장 설명
    Diode Standard, Reverse Polarity 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • 다이오드 구성
    25µA @ 100V
  • 기술
    DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.4V @ 12A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    1000V (1kV)
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 150°C

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FR12M05

기술: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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FR12TB58M

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기술: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

제조업체: Panduit
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FR12G05

FR12G05

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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RFQ
FR12TB2412

FR12TB2412

기술: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

제조업체: Panduit
유품
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FR12K05

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기술: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
FR12TB2458M

FR12TB2458M

기술: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

제조업체: Panduit
유품
RFQ
FR12TB12M

FR12TB12M

기술: CABLE DUCT TRAPEZE BRACKET

제조업체: Panduit
유품
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FR12J02

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기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
FR12GR02

FR12GR02

기술: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
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FR12KR05

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기술: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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FR12TRBE58M

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기술: CABLE DUCT BRACKET

제조업체: Panduit
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기술: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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FR12JR02

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기술: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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FR12J05

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FR12TB2458

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