GA100JT12-227

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규격

제품 모델

GA100JT12-227
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

TRANS SJT 1200V 160A SOT227
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

GA100JT12-227.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
Vgs (최대)

-
과학 기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
제조업체 장치 패키지

SOT-227
연속

-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

10 mOhm @ 100A
전력 소비 (최대)

535W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC
다른 이름들

1242-1317
GA100JT12-227-ND
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

18 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 800V
FET 유형

-
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-
소스 전압에 드레인 (Vdss)

1200V
상세 설명

TRANS SJT 1200V 160A SOT227
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

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