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4116040GA16JT17-247 이미지GeneSiC Semiconductor

GA16JT17-247

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  • 제품 모델
    GA16JT17-247
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GA16JT17-247.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • Vgs (최대)
    -
  • 과학 기술
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247AB
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    110 mOhm @ 16A
  • 전력 소비 (최대)
    282W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    1242-1136
    GA16JT17247
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET 유형
    -
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    -
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    1700V
  • 상세 설명
    1700V 16A (Tc) (90°C) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    16A (Tc) (90°C)

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GA1210Y824MXJAR31G

GA1210Y824MXJAR31G

기술: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBAAT31G

GA1812A101FBAAT31G

기술: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1210Y824MXJAT31G

GA1210Y824MXJAT31G

기술: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBBAR31G

GA1812A101FBBAR31G

기술: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBGAT31G

GA1812A101FBGAT31G

기술: CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBCAT31G

GA1812A101FBCAT31G

기술: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBCAR31G

GA1812A101FBCAR31G

기술: CAP CER 100PF 200V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA16B02

GA16B02

기술: SSR RELAY SPST-NO 3.5A 24-280V

제조업체: Crydom
유품
RFQ
GA1210Y824MBJAT31G

GA1210Y824MBJAT31G

기술: CAP CER 0.82UF 16V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1210Y824MBXAT31G

GA1210Y824MBXAT31G

기술: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA15IDDJT22-FR4

GA15IDDJT22-FR4

기술: BOARD GATE DRIVER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
GA1210Y824MXAAR31G

GA1210Y824MXAAR31G

기술: CAP CER 0.82UF 50V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBGAR31G

GA1812A101FBGAR31G

기술: CAP CER 100PF 1KV C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBEAR31G

GA1812A101FBEAR31G

기술: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1210Y824MXXAT31G

GA1210Y824MXXAT31G

기술: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1210Y824MXAAT31G

GA1210Y824MXAAT31G

기술: CAP CER 0.82UF 50V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1210Y824MXXAR31G

GA1210Y824MXXAR31G

기술: CAP CER 0.82UF 25V X7R 1210

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBBAT31G

GA1812A101FBBAT31G

기술: CAP CER 100PF 100V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBEAT31G

GA1812A101FBEAT31G

기술: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GA1812A101FBAAR31G

GA1812A101FBAAR31G

기술: CAP CER 100PF 50V C0G/NP0 1812

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
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