GB02SLT12-252

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규격

제품 모델

GB02SLT12-252
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

GB02SLT12-252.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.8V @ 2A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

1200V
제조업체 장치 패키지

TO-252
속도

No Recovery Time > 500mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

0ns
포장

Original-Reel®
패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들

1242-1138-6
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 175°C
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky
상세 설명

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 5A (DC) Surface Mount TO-252
전류 - 누설 Vr에서 역방향

50µA @ 1200V
전류 - 평균 정류 (Io)

5A (DC)
VR, F @ 용량

131pF @ 1V, 1MHz

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제조업체: Sunon

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기술: CRYSTAL 4.0000MHZ 30PF TH

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: RF ANTENNA WIFI/ISM/BT/ZIGBEE

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기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA

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GB04001

기술: RF ANT 2.4GHZ STAMPED MET SLD

제조업체: Ethertronics

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기술: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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기술: CRYSTAL METAL CAN DIP49S

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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기술: FAN BLOWER 30X10MM 5VDC WIRE

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기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC

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기술: CRYSTAL 4.0000MHZ 20PF TH

제조업체: Diodes Incorporated

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기술: DIODE SCHOTTKY 300V 4A

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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GB02SLT12-220

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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GB01SLT12-214

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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GB0504ADB1-8

기술: FAN BLOWER 40X7.3MM 5VDC WIRE

제조업체: Sunon

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기술: DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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기술: DIODE SCHOTTKY 100V 4A

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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기술: CRYSTAL 4.0000MHZ 16PF TH

제조업체: Diodes Incorporated

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