GB05SLT12-252

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제품 모델

GB05SLT12-252
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

GB05SLT12-252.pdf
전압 - 피크 역 (최대)

Silicon Carbide Schottky
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

5A
전압 - 파괴

TO-252
연속

-
RoHS 상태

Bulk
역 회복 시간 (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
만약, F @ 저항

260pF @ 1V, 1MHz
편광

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들

1242-1129
GB05SLT12252
작동 온도 - 정션

0ns
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

18 Weeks
제조업체 부품 번호

GB05SLT12-252
확장 설명

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252
다이오드 구성

50µA @ 1200V
기술

DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1.8V @ 2A
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

1200V (1.2kV)
VR, F @ 용량

-55°C ~ 175°C

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