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1504988GB50SLT12-247 이미지GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

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유품
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$107.46
10+
$100.748
25+
$96.046
100+
$90.673
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    GB50SLT12-247
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Silicon Carbide Schottky
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    50A
  • 전압 - 파괴
    TO-247AC
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tube
  • 역 회복 시간 (trr)
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    2940pF @ 1V, 1MHz
  • 편광
    TO-247-2
  • 다른 이름들
    1242-1179
    GB50SLT12247
  • 작동 온도 - 정션
    0ns
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    GB50SLT12-247
  • 확장 설명
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC
  • 다이오드 구성
    1mA @ 1200V
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.8V @ 50A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    1200V (1.2kV)
  • VR, F @ 용량
    -55°C ~ 175°C
SD103AWS-TP

SD103AWS-TP

기술: DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
S3K-E3/57T

S3K-E3/57T

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
ES1D-TP

ES1D-TP

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

제조업체: Micro Commercial Co
유품
SB550A-E3/54

SB550A-E3/54

기술: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SBR5E60P5-7D

SBR5E60P5-7D

기술: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

제조업체: Diodes Incorporated
유품
VS-40HFR40M

VS-40HFR40M

기술: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
AU3PJHM3/86A

AU3PJHM3/86A

기술: DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RS3K V7G

RS3K V7G

기술: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
S3MB

S3MB

기술: DIODE GP 1000V 3A SMB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SK310BE3/TR13

SK310BE3/TR13

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB

제조업체: Microsemi
유품
FFPF15S60STU

FFPF15S60STU

기술: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
AS3PKHM3_A/I

AS3PKHM3_A/I

기술: DIODE AVALANCHE 800V 2.1A TO277A

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
1N4006G

1N4006G

기술: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
S15DLWHRVG

S15DLWHRVG

기술: DIODE GEN PURP 200V 1.5A SOD123W

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F

기술: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
RS2MAHM2G

RS2MAHM2G

기술: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
BYT51D-TR

BYT51D-TR

기술: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SR206HA0G

SR206HA0G

기술: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO204AC

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
ESH2PBHE3/85A

ESH2PBHE3/85A

기술: DIODE GEN PURP 100V 2A DO220AA

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
VS-1N3208R

VS-1N3208R

기술: DIODE GEN PURP 50V 15A DO203AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품

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