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GKR26/14

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유품
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규격
  • 제품 모델
    GKR26/14
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    25A
  • 전압 - 파괴
    DO-4
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • 다른 이름들
    1242-1226
    GKR26/14GN
    GKR26/14GN-ND
    GKR2614
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    GKR26/14
  • 확장 설명
    Diode Standard 1400V (1.4kV) 25A Chassis, Stud Mount DO-4
  • 다이오드 구성
    4mA @ 1400V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.55V @ 60A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    1400V (1.4kV)
  • VR, F @ 용량
    -40°C ~ 180°C
GKR240/04

GKR240/04

기술: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR26/04

GKR26/04

기술: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR71/16

GKR71/16

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR240/18

GKR240/18

기술: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR240/16

GKR240/16

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR240/14

GKR240/14

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKRA2K1A2-F04

GKRA2K1A2-F04

기술: SWITCH INTERLOCK DPDT SNAP ACT

제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품
GKR26/12

GKR26/12

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKRA2K1A2-F04-C

GKRA2K1A2-F04-C

기술: SWITCH INTERLOCK DPDT SNAP ACT

제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품
GKR71/14

GKR71/14

기술: DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR26/16

GKR26/16

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR240/12

GKR240/12

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR71/12

GKR71/12

기술: DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR130/18

GKR130/18

기술: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR71/08

GKR71/08

기술: DIODE GEN PURP 800V 95A DO5

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKRA2K2A2-F04-C

GKRA2K2A2-F04-C

기술: SWITCH INTERLOCK DPDT SNAP ACT

제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품
GKR26/08

GKR26/08

기술: DIODE GEN PURP 800V 25A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR71/04

GKR71/04

기술: DIODE GEN PURP 400V 95A DO5

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKR240/08

GKR240/08

기술: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GKRA2K1A2-F03

GKRA2K1A2-F03

기술: SWITCH INTERLOCK DPDT SNAP ACT

제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품

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