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MBR120200CT 이미지

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

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유품

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규격

제품 모델

MBR120200CT
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MBR120200CT.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

920mV @ 60A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

200V
제조업체 장치 패키지

Twin Tower
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Twin Tower
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Schottky
다이오드 구성

1 Pair Common Cathode
상세 설명

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 60A Chassis Mount Twin Tower
전류 - 누설 Vr에서 역방향

1mA @ 200V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

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