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GeneSiC Semiconductor

MBR30035CT

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유품

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온라인 문의

규격

제품 모델

MBR30035CT
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.MBR30035CT.pdf
2.MBR30035CT.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

650mV @ 150A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

35V
제조업체 장치 패키지

Twin Tower
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Twin Tower
다른 이름들

1242-1050
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Schottky
다이오드 구성

1 Pair Common Cathode
상세 설명

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
전류 - 누설 Vr에서 역방향

8mA @ 20V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A (DC)

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MBR30045CTR

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MBR30040CT

MBR30040CT

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MBR300200CT

MBR300200CT

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MBR30030CTR

기술: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

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MBR30040CTRL

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MBR30040CTR

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MBR30040CTL

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MBR30035CTR

기술: DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

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