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MBR400100CT 이미지

GeneSiC Semiconductor

MBR400100CT

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제품 모델

MBR400100CT
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.MBR400100CT.pdf
2.MBR400100CT.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

840mV @ 200A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

100V
제조업체 장치 패키지

Twin Tower
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Twin Tower
다른 이름들

1242-1022
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Schottky
다이오드 구성

1 Pair Common Cathode
상세 설명

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 400A (DC) Chassis Mount Twin Tower
전류 - 누설 Vr에서 역방향

5mA @ 20V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

400A (DC)

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MBR360G

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MBR400200CT

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER

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MBR400200CTR

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MBR400100CTR

기술: DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER

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기술: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MBR40030CT

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MBR3580

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기술: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

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MBR3560

MBR3560

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MBR40020CTR

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MBR3545R

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MBR3580R

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MBR40020CTL

기술: DIODE SCHOTTKY 20V 200A 2 TOWER

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MBR3545

MBR3545

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4

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