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MBR60035CT

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규격
  • 제품 모델
    MBR60035CT
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.MBR60035CT.pdf
    2.MBR60035CT.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    750mV @ 300A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    35V
  • 제조업체 장치 패키지
    Twin Tower
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Twin Tower
  • 다른 이름들
    MBR60035CTGN
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    4 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Schottky
  • 다이오드 구성
    1 Pair Common Cathode
  • 상세 설명
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 300A Chassis Mount Twin Tower
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1mA @ 20V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    300A

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MBR60035CTL

기술: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBR60020CTL

MBR60020CTL

기술: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBR60030CT

MBR60030CT

기술: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBR60040CTR

MBR60040CTR

기술: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

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MBR600200CTR

MBR600200CTR

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MBR60040CT

MBR60040CT

기술: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER

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MBR60045CT

MBR60045CT

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MBR60045CTR

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