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MBRT60030

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규격
  • 제품 모델
    MBRT60030
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE MODULE 30V 600A 3TOWER
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.MBRT60030.pdf
    2.MBRT60030.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    750mV @ 300A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    30V
  • 제조업체 장치 패키지
    Three Tower
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Three Tower
  • 다른 이름들
    MBRT60030GN
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    4 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Schottky
  • 다이오드 구성
    1 Pair Common Cathode
  • 상세 설명
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 600A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1mA @ 20V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    600A (DC)

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MBRT60030RL

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MBRT600100R

기술: DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBRT600100

MBRT600100

기술: DIODE MODULE 100V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBRT600150

MBRT600150

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT600150R

MBRT600150R

기술: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT60030R

MBRT60030R

기술: DIODE MODULE 30V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT60020R

MBRT60020R

기술: DIODE MODULE 20V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT60035RL

MBRT60035RL

기술: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBRT600200R

MBRT600200R

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT60020RL

MBRT60020RL

기술: DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT60030L

MBRT60030L

기술: DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
MBRT60035L

MBRT60035L

기술: DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MBRT60040L

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MBRT60035

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MBRT600200

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