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GeneSiC Semiconductor

MSRT100100(A)D

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유품

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규격

제품 모델

MSRT100100(A)D
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE GEN 1KV 100A 3 TOWER
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

MSRT100100(A)D.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.1V @ 100A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

1000V
제조업체 장치 패키지

Three Tower
속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Three Tower
작동 온도 - 정션

-55°C ~ 150°C
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
다이오드 구성

1 Pair Series Connection
상세 설명

Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1000V 100A Chassis Mount Three Tower
전류 - 누설 Vr에서 역방향

10µA @ 1000V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

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MSRT150120(A)

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

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MSRT150120(A)D

기술: DIODE GEN 1.2KV 150A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MSR860

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MSRD620CTT4RG

기술: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MSRD620CTRG

기술: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MSRD620CTG

기술: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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MSRT100160(A)D

기술: DIODE GEN 1.6KV 100A 3 TOWER

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기술: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

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기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP

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MSRT100120(A)D

기술: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

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MSRT150100(A)D

기술: DIODE GEN 1KV 150A 3 TOWER

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기술: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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기술: DIODE GEN PURP 800V 100A 3 TOWER

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MSR860G

기술: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

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