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GeneSiC Semiconductor

MURT10020R

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유품

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규격

제품 모델

MURT10020R
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.MURT10020R.pdf
2.MURT10020R.pdf
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.3V @ 50A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

200V
제조업체 장치 패키지

Three Tower
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

75ns
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Three Tower
다른 이름들

MURT10020RGN
작동 온도 - 정션

-40°C ~ 175°C
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity
다이오드 구성

-
상세 설명

Diode Array Standard, Reverse Polarity 200V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
전류 - 누설 Vr에서 역방향

25µA @ 50V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURT20005R

기술: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURT10010R

기술: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

MURT20010R

기술: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

MURT20020R

기술: DIODE MODULE 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

유품

MURT10060

기술: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURT10040

기술: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURS480ET3G

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MURS3GB-TP

기술: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)

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MURT20020

기술: DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURT10010

기술: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURT20010

기술: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

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기술: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

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제조업체: GeneSiC Semiconductor

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MURT20005

기술: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

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MURT10005R

기술: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor

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