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GeneSiC Semiconductor

MURT20060R

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유품

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온라인 문의

규격

제품 모델

MURT20060R
제조업체 / 브랜드

GeneSiC Semiconductor
재고 수량

유품
기술

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.MURT20060R.pdf
2.MURT20060R.pdf
ECAD 모델
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우

1.7V @ 100A
전압 - 역방향 (Vr) (최대)

600V
제조업체 장치 패키지

Three Tower
속도

Fast Recovery = 200mA (Io)
연속

-
역 회복 시간 (trr)

160ns
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Three Tower
다른 이름들

MURT20060RGN
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
다이오드 유형

Standard
다이오드 구성

1 Pair Common Anode
상세 설명

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
전류 - 누설 Vr에서 역방향

25µA @ 50V
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A (DC)

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