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MURTA20020

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  • 제품 모델
    MURTA20020
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    MURTA20020.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.3V @ 100A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    Three Tower
  • 속도
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Three Tower
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    4 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 다이오드 구성
    1 Pair Common Cathode
  • 상세 설명
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 100A Chassis Mount Three Tower
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    25µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    100A

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MURT40040R

기술: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURT40040

기술: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURTA300120

MURTA300120

기술: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURT40060R

기술: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURT40020R

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기술: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

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MURTA20040

MURTA20040

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MURTA200120

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기술: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

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