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MURTA60060R

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  • 제품 모델
    MURTA60060R
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.MURTA60060R.pdf
    2.MURTA60060R.pdf
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.7V @ 300A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    600V
  • 제조업체 장치 패키지
    Three Tower
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    280ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Three Tower
  • 다른 이름들
    MURTA60060RGN
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    4 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 다이오드 구성
    1 Pair Common Anode
  • 상세 설명
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 600A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    25µA @ 50V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    600A (DC)

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제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

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기술: DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURTA50060R

기술: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

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기술: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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기술: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURTA50060

기술: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURTA60020R

MURTA60020R

기술: DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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MURTA600120

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기술: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
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