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S12DR

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유품
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온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    S12DR
  • 제조업체 / 브랜드
    GeneSiC Semiconductor
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.S12DR.pdf
    2.S12DR.pdf
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard, Reverse Polarity
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    12A
  • 전압 - 파괴
    DO-4
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Bulk
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    -
  • 편광
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • 다른 이름들
    S12DRGN
  • 실장 형
    Chassis, Stud Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    S12DR
  • 확장 설명
    Diode Standard, Reverse Polarity 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • 다이오드 구성
    10µA @ 50V
  • 기술
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.1V @ 12A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    200V
  • VR, F @ 용량
    -65°C ~ 175°C

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S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

기술: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
RFQ
S12D

S12D

기술: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12GR

S12GR

기술: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12B-XASK-1(LF)(SN)

S12B-XASK-1(LF)(SN)

기술: XA HEADER (SIDE)

제조업체: JST
유품
RFQ
S12G

S12G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12B-XH-A(LF)(SN)

S12B-XH-A(LF)(SN)

기술: CONN HEADER XH SIDE 12POS 2.5MM

제조업체: JST
유품
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
RFQ
S12BR

S12BR

기술: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12J

S12J

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
RFQ
S12B-ZR

S12B-ZR

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12B-XADSS-N(LF)(SN)

S12B-XADSS-N(LF)(SN)

기술: CONN HDR XAD 12POS 2.5MM TIN SE

제조업체: JST
유품
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

기술: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

제조업체: JST
유품
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

기술: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RFQ
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