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GT10B-(20PRE)/RE-MD

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유품
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규격
  • 제품 모델
    GT10B-(20PRE)/RE-MD
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TOOL EXTRACTION
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    해당 사항 없음 / 해당 사항 없음
  • 연속
    *
  • 다른 이름들
    902-5094-8-00
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Not applicable / Not applicable
GT11-2428PCF(70)

GT11-2428PCF(70)

기술: M TERMINAL 24-28AWG

제조업체: Hirose
유품
GT10B-(10SET)/RE-MD

GT10B-(10SET)/RE-MD

기술: TOOL EXTRACTION

제조업체: Hirose
유품
GT11-2428SCF(70)

GT11-2428SCF(70)

기술: F TERMINAL 24-28AWG

제조업체: Hirose
유품
GT11-1822SCF(70)

GT11-1822SCF(70)

기술: F TERMINAL 18-22AWG

제조업체: Hirose
유품
GT103E1K

GT103E1K

기술: THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD

제조업체: U.S. Sensor
유품
GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

기술: IGBT 600V 10A 60W TO220SM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
GT10-16DP-R

GT10-16DP-R

기술: CONN RTNR

제조업체: Hirose
유품
GT10B-(CON)/RE-MD

GT10B-(CON)/RE-MD

기술: TOOL EXTRACTION

제조업체: Hirose
유품
GT11-2P-6.0C(70)

GT11-2P-6.0C(70)

기술: CONN M OUTER TERMINAL

제조업체: Hirose
유품
GT10-16DS-HU

GT10-16DS-HU

기술: CONN HSG

제조업체: Hirose
유품
GT104L1K

GT104L1K

기술: THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD

제조업체: U.S. Sensor
유품
GT11-1822PCF(70)

GT11-1822PCF(70)

기술: M TERMINAL 18-22AWG

제조업체: Hirose
유품
GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

기술: IGBT 400V 1W 8-SOIC

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품
GT103J1K

GT103J1K

기술: THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD

제조업체: U.S. Sensor
유품
GT10-16DP-HU

GT10-16DP-HU

기술: CONN HSG

제조업체: Hirose
유품
GT102B1K

GT102B1K

기술: THERMISTOR NTC 1KOHM 3009K BEAD

제조업체: U.S. Sensor
유품
GT10B-(10PRE)/RE-MD

GT10B-(10PRE)/RE-MD

기술: TOOL EXTRACTION

제조업체: Hirose
유품
GT105U1K

GT105U1K

기술: THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD

제조업체: U.S. Sensor
유품
GT10B-(20SET)/RE-MD

GT10B-(20SET)/RE-MD

기술: TOOL EXTRACTION

제조업체: Hirose
유품
GT11-2P-5.2C(70)

GT11-2P-5.2C(70)

기술: CONN M OUTER TERMINAL

제조업체: Hirose
유품

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