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  • 제품 모델
    70P249L65BYGI8
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 64K PARALLEL 100CABGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    70P249L65BYGI8.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    65ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    100-CABGA (6x6)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    100-TFBGA
  • 다른 이름들
    IDT70P249L65BYGI8
    IDT70P249L65BYGI8-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Kb (4K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 64Kb (4K x 16) Parallel 65ns 100-CABGA (6x6)
  • 액세스 시간
    65ns

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70P255L65BYGI

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제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 100CABGA

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기술: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

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70P245L90BYGI8

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 100CABGA

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70P00000Z

70P00000Z

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70P244L40BYGI

70P244L40BYGI

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70P245L65BYGI8

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 100CABGA

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