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70P264L40BYGI8

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  • 제품 모델
    70P264L40BYGI8
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    70P264L40BYGI8.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    40ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    81-CABGA (5x5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    81-TFBGA
  • 다른 이름들
    IDT70P264L40BYGI8
    IDT70P264L40BYGI8-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 40ns 81-CABGA (5x5)
  • 액세스 시간
    40ns

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70P259L65BYGI8

기술: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70P255L90BYGI8

70P255L90BYGI8

기술: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70P259L90BYGI8

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기술: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70P255L90BYGI

70P255L90BYGI

기술: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70P259L65BYGI

70P259L65BYGI

기술: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70P269L65BYGI8

70P269L65BYGI8

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70P264L40BYGI

70P264L40BYGI

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70P265L65BYGI

70P265L65BYGI

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70P264L55BYGI

70P264L55BYGI

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70P269L90BYGI

70P269L90BYGI

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

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