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70T3519S133BF8

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  • 제품 모델
    70T3519S133BF8
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1.70T3519S133BF8.pdf
    2.70T3519S133BF8.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.4 V ~ 2.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    208-CABGA (15x15)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    208-LFBGA
  • 다른 이름들
    IDT70T3519S133BF8
    IDT70T3519S133BF8-ND
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
  • 클럭 주파수
    133MHz
  • 기본 부품 번호
    IDT70T3519
  • 액세스 시간
    4.2ns

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3519S133BCI

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3509MS133BPGI

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3519S133BFGI8

70T3519S133BFGI8

기술: IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T3509MS133BPG

70T3509MS133BPG

기술: IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70T3519S133BFGI

70T3519S133BFGI

기술: IC SRAM 9M PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3519S133BFI8

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

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70T3519S133BFI

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

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70T3519S166BC8

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

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70T3519S133BCI8

70T3519S133BCI8

기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

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70T3509MS133BPI

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 256CABGA

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70T3519S133DRI

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA

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70T3519S133DR

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