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70V26L35J

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  • 제품 모델
    70V26L35J
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    70V26L35J.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    35ns
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    84-PLCC (29.21x29.21)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    84-LCC (J-Lead)
  • 다른 이름들
    IDT70V26L35J
    IDT70V26L35J-ND
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Kb (16K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 35ns 84-PLCC (29.21x29.21)
  • 기본 부품 번호
    IDT70V26
  • 액세스 시간
    35ns

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기술: IC SRAM 256K PARALLEL 84PGA

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70V26L25J8

70V26L25J8

기술: IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V261S35PFG8

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기술: IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

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기술: IC SRAM 256K PARALLEL 84PLCC

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기술: IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP

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