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70V3389S5BC8

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  • 제품 모델
    70V3389S5BC8
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    70V3389S5BC8.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3.15 V ~ 3.45 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    256-CABGA (17x17)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    256-LBGA
  • 다른 이름들
    IDT70V3389S5BC8
    IDT70V3389S5BC8-ND
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    4 (72 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1.125Mb (64K x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (64K x 18) Parallel 5ns 256-CABGA (17x17)
  • 기본 부품 번호
    IDT70V3389
  • 액세스 시간
    5ns

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기술: IC SRAM 576K PARALLEL 128TQFP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3389S4PRF

70V3389S4PRF

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3389S5BC

70V3389S5BC

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70V3389S4BC8

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70V3389S5BF8

70V3389S5BF8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70V3389S5PRF/P

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

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70V3389S4BF

70V3389S4BF

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

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70V3389S5PRF

70V3389S5PRF

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

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70V3389S4PRF8

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

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70V3389S5BCI

70V3389S5BCI

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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70V3389S5BFI8

70V3389S5BFI8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

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70V3389S5BFI

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70V3389S4BCG

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70V3389S5PRFI

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