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70V3569S6DRI

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  • 제품 모델
    70V3569S6DRI
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3.15 V ~ 3.45 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    208-PQFP (28x28)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    208-BFQFP
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    576Kb (16K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 576Kb (16K x 36) Parallel 6ns 208-PQFP (28x28)
  • 액세스 시간
    6ns
70V3569S5DRI

70V3569S5DRI

기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S6BC8

70V3569S6BC8

기술: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S6BF

70V3569S6BF

기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S6BFG

70V3569S6BFG

기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S5BC

70V3579S5BC

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S6BC

70V3569S6BC

기술: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S5BFI

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기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S5DR

70V3569S5DR

기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S4BF

70V3579S4BF

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3569S5BFI8

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기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
70V3579S4BC8

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S4BC

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S4DR

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S4BCG

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3569S6BF8

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기술: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

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70V3569S6DR

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