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70V3579S5DRI

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  • 제품 모델
    70V3579S5DRI
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1.70V3579S5DRI.pdf
    2.70V3579S5DRI.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3.15 V ~ 3.45 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    208-PQFP (28x28)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    208-BFQFP
  • 다른 이름들
    IDT70V3579S5DRI
    IDT70V3579S5DRI-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1.125Mb (32K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 5ns 208-PQFP (28x28)
  • 기본 부품 번호
    IDT70V3579
  • 액세스 시간
    5ns

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70V3579S6BF8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S5BCI8

70V3579S5BCI8

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S6BCI8

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70V3579S5BF

70V3579S5BF

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70V3579S5BFI

70V3579S5BFI

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
70V3589S133BC

70V3589S133BC

기술: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
70V3579S6BF

70V3579S6BF

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

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70V3579S5BC

70V3579S5BC

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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70V3579S6BC8

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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70V3579S5BCI

70V3579S5BCI

기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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70V3589S133BC8

70V3589S133BC8

기술: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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70V3579S5BCGI

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기술: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

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70V3579S6BC

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70V3579S6DR

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