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71V124SA10YG

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  • 제품 모델
    71V124SA10YG
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    71V124SA10YG.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    10ns
  • 전압 - 공급
    3.15 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    32-SOJ
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 다른 이름들
    IDT71V124SA10YG
    IDT71V124SA10YG-ND
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-SOJ
  • 기본 부품 번호
    IDT71V124
  • 액세스 시간
    10ns

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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71V124SA12TYGI

71V124SA12TYGI

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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71V016SA20YG

71V016SA20YG

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
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71V124SA10TYG8

71V124SA10TYG8

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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71V124SA10PHGI8

71V124SA10PHGI8

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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71V124SA12YG

71V124SA12YG

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

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71V124SA10YG8

71V124SA10YG8

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

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71V124SA10TYG

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

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71V124SA12TYGI8

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

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71V124SA10PHGI

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기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

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71V124SA12PHG8

71V124SA12PHG8

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

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71V016SA20YG8

71V016SA20YG8

기술: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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71V124SA12PHGI

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71V016SA20YGI8

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