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18897471V416S10YG 이미지IDT (Integrated Device Technology)

71V416S10YG

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규격
  • 제품 모델
    71V416S10YG
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    71V416S10YG.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    10ns
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    44-SOJ
  • 연속
    -
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • 다른 이름들
    IDT71V416S10YG
    IDT71V416S10YG-ND
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ
  • 기본 부품 번호
    IDT71V416
  • 액세스 시간
    10ns

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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RFQ
71V416S12PHGI

71V416S12PHGI

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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71V416S10BE

71V416S10BE

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
71V416S10PHG8

71V416S10PHG8

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
71V416L15YGI

71V416L15YGI

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
71V416S12BE8

71V416S12BE8

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
RFQ
71V416S10BE8

71V416S10BE8

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
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71V416S10PHGI8

71V416S10PHGI8

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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71V416S12PHG

71V416S12PHG

기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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유품
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71V416S10PHG

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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71V416S12BEG

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA

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71V416S10PHGI

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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71V416S12BEI8

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