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71V424S10YGI8

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규격

제품 모델

71V424S10YGI8
제조업체 / 브랜드

IDT (Renesas Electronics Corporation)
재고 수량

유품
기술

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

1.71V424S10YGI8.pdf
2.71V424S10YGI8.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

10ns
전압 - 공급

3 V ~ 3.6 V
과학 기술

SRAM - Asynchronous
제조업체 장치 패키지

36-SOJ
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
다른 이름들

IDT71V424S10YGI8
IDT71V424S10YGI8-ND
작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

SRAM
제조업체 표준 리드 타임

10 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns 36-SOJ
기본 부품 번호

IDT71V424
액세스 시간

10ns

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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