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IDT71P71604S200BQG

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  • 제품 모델
    IDT71P71604S200BQG
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IDT71P71604S200BQG.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • 제조업체 장치 패키지
    165-CABGA (13x15)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    165-TBGA
  • 다른 이름들
    71P71604S200BQG
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    18Mb (512K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 7.88ns 165-CABGA (13x15)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    IDT71P71
  • 액세스 시간
    7.88ns

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IDT71P71804S167BQ

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
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IDT71P71604S250BQG8

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
유품
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IDT7164S35YG8

IDT7164S35YG8

기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71P71804S200BQ

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71P71604S167BQ8

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

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IDT71P71604S200BQ

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

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기술: IC SRAM 64K PARALLEL 28SOJ

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