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IDT71V25761SA200BG

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  • 제품 모델
    IDT71V25761SA200BG
  • 제조업체 / 브랜드
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1.IDT71V25761SA200BG.pdf
    2.IDT71V25761SA200BG.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3.135 V ~ 3.465 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    119-PBGA (14x22)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    119-BGA
  • 다른 이름들
    71V25761SA200BG
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 119-PBGA (14x22)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 기본 부품 번호
    IDT71V25761
  • 액세스 시간
    5ns

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기술: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

제조업체: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V25761YS200PF

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기술: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

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기술: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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기술: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

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IDT71V25761SA200BGI

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기술: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

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IDT71V25761SA183BQ8

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기술: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

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IDT71V25761SA183BGI

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IDT71V25761SA166BQI

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