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IS42S32200E-6BI

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  • 제품 모델
    IS42S32200E-6BI
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
    1.IS42S32200E-6BI.pdf
    2.IS42S32200E-6BI.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SDRAM
  • 제조업체 장치 패키지
    90-TFBGA (8x13)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    90-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    2 (1 Year)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    64Mb (2M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 상세 설명
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 액세스 시간
    5.5ns

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32200C1-7TLI-TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32200E-6BL

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32200C1-7TL

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32200C1-7TI

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32200C1-7TLI

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32200E-6TLI

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32200E-6B

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32200C1-7TL-TR

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32200E-6BLI

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기술: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

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