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  • 제품 모델
    IS43DR81280A-3DBLI
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    1.IS43DR81280A-3DBLI.pdf
    2.IS43DR81280A-3DBLI.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    60-TWBGA (8x13.65)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 다른 이름들
    706-1140
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x13.65)
  • 클럭 주파수
    333MHz
  • 액세스 시간
    450ps

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR81280B-3DBI

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16640C-3DBLI

IS43DR16640C-3DBLI

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR81280B-25EBL-TR

IS43DR81280B-25EBL-TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR81280B-25EBLI

IS43DR81280B-25EBLI

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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IS43DR81280B-25DBLI-TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16640C-3DBL

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16640B-3DBLI

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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IS43DR16640C-25DBLI-TR

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IS43DR81280B-25EBLI-TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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IS43DR81280B-25DBL-TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

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IS43DR16640C-25DBL

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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