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IS46DR81280B-3DBLA2-TR

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  • 제품 모델
    IS46DR81280B-3DBLA2-TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IS46DR81280B-3DBLA2-TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    60-TWBGA (8x10.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    60-TFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 105°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
  • 클럭 주파수
    333MHz
  • 액세스 시간
    450ps

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IS46DR81280B-3DBLA2

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR81280B-25DBLA2

IS46DR81280B-25DBLA2

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR81280B-3DBLA1-TR

IS46DR81280B-3DBLA1-TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR81280B-25DBLA1

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR81280C-25DBLA1-TR

IS46DR81280C-25DBLA1-TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR16640C-3DBLA2-TR

IS46DR16640C-3DBLA2-TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR81280C-3DBLA2-TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR81280C-25DBLA2-TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46LD16640A-25BLA2

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

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IS46DR81280C-3DBLA2

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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IS46DR81280C-3DBLA1-TR

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기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

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IS46DR16640C-3DBLA1-TR

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IS46DR81280B-25DBLA2-TR

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IS46DR16640C-3DBLA2

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