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IS46R16160D-6TLA1

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  • 제품 모델
    IS46R16160D-6TLA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IS46R16160D-6TLA1.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    2.3 V ~ 2.7 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR
  • 제조업체 장치 패키지
    66-TSOP II
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • 클럭 주파수
    166MHz
  • 액세스 시간
    700ps

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16160F-6BLA2

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

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기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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