ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS46R16320D-6TLA2-TR

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제품 모델

IS46R16320D-6TLA2-TR
제조업체 / 브랜드

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
재고 수량

유품
기술

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IS46R16320D-6TLA2-TR.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

15ns
전압 - 공급

2.3 V ~ 2.7 V
과학 기술

SDRAM - DDR
제조업체 장치 패키지

66-TSOP II
연속

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

DRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
상세 설명

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
클럭 주파수

166MHz
액세스 시간

700ps

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IS46R16320D-6BLA2-TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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IS46R16320D-6BLA2

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IS46R16320E-5TLA1

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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IS46R16320E-5BLA1

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

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기술: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

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