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IS61DDP2B22M18A-400M3L

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  • 제품 모델
    IS61DDP2B22M18A-400M3L
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IS61DDP2B22M18A-400M3L.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.71 V ~ 1.89 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous, DDR IIP
  • 제조업체 장치 패키지
    165-LFBGA (15x17)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    165-LBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    36Mb (2M x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous, DDR IIP Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 400MHz 165-LFBGA (15x17)
  • 클럭 주파수
    400MHz

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IS61DDB42M18C-250M3

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기술: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDB44M18A-300M3L

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기술: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDP2B21M36A-400M3L

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IS61DDP2B41M18A-400M3L

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

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IS61DDP2B44M18A-400M3L

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기술: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDB42M18-250M3

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IS61DDB451236A-250M3L

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IS61DDB42M18A-250M3L

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IS61DDP2B21M18A-400M3L

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