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  • 제품 모델
    IS61LV12824-10BL
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    10ns
  • 전압 - 공급
    3.135 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    119-PBGA (14x22)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    119-BGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    2 (1 Year)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    3Mb (128K x 24)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 3Mb (128K x 24) Parallel 10ns 119-PBGA (14x22)
  • 액세스 시간
    10ns
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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
유품
IS61LV12824-8BL-TR

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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61LV12824-10TQ

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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

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IS61LV12824-10B

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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

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기술: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

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