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  • 제품 모델
    IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    3.135 V ~ 3.465 V
  • 과학 기술
    SRAM - Synchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    100-LQFP (14x20)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    100-LQFP
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 117MHz 7.5ns 100-LQFP (14x20)
  • 클럭 주파수
    117MHz
  • 액세스 시간
    7.5ns

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

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