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  • 제품 모델
    IS61WV25616EDBLL-8BLI
  • 제조업체 / 브랜드
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IS61WV25616EDBLL-8BLI.pdf
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    8ns
  • 전압 - 공급
    3 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    SRAM - Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    48-TFBGA (6x8)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    48-TFBGA
  • 다른 이름들
    706-1393
    IS61WV25616EDBLL-8BLI-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 8ns 48-TFBGA (6x8)
  • 액세스 시간
    8ns

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 48MGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR

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기술: IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

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기술: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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